手動移相器は、手動による機械的な調整によって信号の位相伝送特性を変化させる装置です。その主な機能は、伝送経路におけるマイクロ波信号の位相遅延を精密に制御することです。電源と制御回路を必要とする電子移相器とは異なり、手動移相器は受動性、高出力容量、歪みフリー、優れたコスト効率で知られており、実験室でのデバッグやシステムキャリブレーションによく使用されます。以下では、その特徴と用途について簡単に説明します。
特徴:
1. 超広帯域カバレッジ(DC~8GHz):この機能により、真に汎用性の高いツールとなっています。一般的なモバイル通信(5G NRなど)、Wi-Fi 6E、その他の周波数帯域に容易に対応できるだけでなく、ベースバンド(DC)までカバーし、Cバンド、さらには一部のXバンドアプリケーションまでカバーすることで、DCバイアスから高周波マイクロ波信号まで、幅広い位相調整ニーズに対応します。
2. 優れた位相精度(45°/GHz):この指標は、信号周波数が1GHz増加するごとに、位相シフタが正確に45度の位相変化を提供できることを意味します。8GHz帯域全体において、360°を超える高精度で直線的な位相調整が可能です。この高い精度は、フェーズドアレイアンテナのキャリブレーションやビームフォーミングシミュレーションなど、微細な位相整合が求められるアプリケーションにとって極めて重要です。
3. 高信頼性SMAインターフェース:SMAメスヘッドを採用しているため、市販されているほとんどのテストケーブル(通常はSMAオスヘッド)および機器とのシームレスで安定した接続を実現します。SMAインターフェースは8GHz未満の周波数帯域で安定した性能と優れた再現性を備えており、テストシステムの接続信頼性と信号整合性を確保します。
4. 優れたパフォーマンス指標: 位相精度に加えて、このような製品は通常、挿入損失が低く、電圧定在波比 (VSWR) が優れているため、位相を調整しながら信号強度と品質への影響が最小限に抑えられます。
用途:
1. 研究と実験室テスト: プロトタイプ開発段階では、さまざまな位相差での信号のシステム動作をシミュレートし、アルゴリズムのパフォーマンスを検証するために使用されます。
2. フェーズドアレイシステムのキャリブレーション:フェーズドアレイアンテナユニットのチャネルキャリブレーションのための再現性のある正確な位相基準を提供します。
3. 教育とデモンストレーション: マイクロ波工学における位相の概念と役割を鮮明に実演することは、通信実験室にとって理想的な教育ツールです。
4. 干渉およびキャンセルのシミュレーション: 位相を正確に制御することで、干渉シナリオを構築したり、キャンセル システムのパフォーマンスをテストしたりできます。
Qualwave Inc.は、DC~50GHz帯に対応する高出力・低損失の手動位相器を提供しています。最大900°/GHzの位相調整が可能で、平均出力は最大100Wです。手動位相器は様々な用途で広く使用されています。この記事では、DC~8GHz帯に対応する手動位相器をご紹介します。
1. 電気的特性
周波数: DC~8GHz
インピーダンス: 50Ω
平均電力: 50W
ピーク電力*1: 5KW
[1] パルス幅:5us、デューティサイクル:1%。
[2] 位相シフトは周波数に応じて直線的に変化します。例えば、8GHzで最大位相シフトが360°の場合、4GHzでは最大位相シフトは180°になります。
| 周波数(GHz) | VSWR(最大) | 挿入損失(dB、最大) | 位相調整*2 (°) |
| DC~1 | 1.2 | 0.3 | 0~45 |
| DC~2 | 1.3 | 0.5 | 0~90 |
| DC~4 | 1.4 | 0.75 | 0~180 |
| DC~6 | 1.5 | 1 | 0~270 |
| DC~8 | 1.5 | 1.25 | 0~360 |
2. 機械的特性
サイズ: 131.5*48*21mm
5.177*1.89*0.827インチ
重量: 200g
RFコネクタ: SMAメス
外部導体:金メッキ真鍮
オス内部導体:金メッキ真鍮
メス内部導体:金メッキベリリウム銅
ハウジング:アルミニウム
3. 環境
動作温度: -10~+50℃
非動作温度: -40~+70℃
4. アウトライン図
単位: mm [in]
許容誤差: ±0.2mm [±0.008in]
5. 注文方法
QMPS45-XY
X: GHz単位の周波数
Y: コネクタタイプ
コネクタ命名規則: S - SMA
例:
位相シフター、DC~6GHz、SMAメス-SMAメスを注文するには、QMPS45-6-S を指定してください。
詳細な仕様やサンプルサポートについては、お気軽にお問い合わせください。高周波エレクトロニクスのリーディングサプライヤーとして、当社は高性能RF/マイクロ波コンポーネントの研究開発と製造を専門とし、世界中のお客様に革新的なソリューションを提供することに尽力しています。
投稿日時: 2025年9月11日
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